题目
写下晶体外延的意义,列举三种外延生长方法,并表明各自的优缺点。得出光刻的促进作用,光铸有哪两种曝光方式。
写下晶体外延的意义,列举三种外延生长方法,并表明各自的优缺点。得出光刻的促进作用,光铸有哪两种曝光方式。
题目解答
答案
答:外延意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长,气相外延生长,金属有机物气相外延生长(1)液态生长:最简单最廉价的外延生长方法,但其外延层的质量不低(2)气相外延生长:技术明朗,能够较好地掌控薄膜厚度、杂质浓度和晶体完整性,但对外延层参杂情况的掌控比较容易。(3)金属有机物气相外延生长:movpe与其它vpe不同之处是它就是一种冷壁工艺,只要将衬底掌控至一定温度就行了。光刻作用:把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。