CZ法和悬浮区熔法都可以用于制作晶圆,但是()比较常用,便宜并且可以制作大尺寸的晶圆,()可以制作纯度较高的晶圆。 A. CZ法,CZ法B. 悬浮区熔法，悬浮区熔法C. 悬浮区熔法,CZ法D. CZ法,悬浮区熔法

步骤 1：理解CZ法和悬浮区熔法
CZ法（Czochralski法）是一种通过从熔融硅中拉出单晶硅棒的方法，而悬浮区熔法是一种通过在熔融硅中形成一个悬浮的单晶硅区域来生长单晶硅的方法。
步骤 2：比较两种方法的优缺点
CZ法的优点是成本较低，可以制作大尺寸的晶圆，但纯度相对较低。悬浮区熔法的优点是能够制作纯度较高的晶圆，但成本较高，且制作大尺寸晶圆较为困难。
步骤 3：选择正确答案
根据上述分析，CZ法比较常用，便宜并且可以制作大尺寸的晶圆，而悬浮区熔法可以制作纯度较高的晶圆。