题目
11.(4.0分)[多选题]关于氧化性气体和还原性-|||-气体在气敏材料表面反应的区别描述正确的是(-|||-)。-|||-氧化性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大-|||-A-|||-还原型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大-|||-B-|||-氧化型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降-|||-C-|||-还原性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降

题目解答
答案
ABCD
A. 氧化性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大
B. 还原型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大
C. 氧化型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降
D. 还原性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降
A. 氧化性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大
B. 还原型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子减少,而电阻将增大
C. 氧化型气体吸附到p型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降
D. 还原性气体吸附到n型半导体上时,将使载流子增多,使电阻下降
解析
步骤 1:氧化性气体吸附到n型半导体上
氧化性气体吸附到n型半导体上时,会与半导体表面的电子发生反应,消耗电子,从而减少载流子的数量,导致电阻增大。
步骤 2:还原性气体吸附到p型半导体上
还原性气体吸附到p型半导体上时,会与半导体表面的空穴发生反应,消耗空穴,从而减少载流子的数量,导致电阻增大。
步骤 3:氧化性气体吸附到p型半导体上
氧化性气体吸附到p型半导体上时,会与半导体表面的空穴发生反应,产生更多的空穴,从而增加载流子的数量,导致电阻下降。
步骤 4:还原性气体吸附到n型半导体上
还原性气体吸附到n型半导体上时,会与半导体表面的电子发生反应,产生更多的电子,从而增加载流子的数量,导致电阻下降。
氧化性气体吸附到n型半导体上时,会与半导体表面的电子发生反应,消耗电子,从而减少载流子的数量,导致电阻增大。
步骤 2:还原性气体吸附到p型半导体上
还原性气体吸附到p型半导体上时,会与半导体表面的空穴发生反应,消耗空穴,从而减少载流子的数量,导致电阻增大。
步骤 3:氧化性气体吸附到p型半导体上
氧化性气体吸附到p型半导体上时,会与半导体表面的空穴发生反应,产生更多的空穴,从而增加载流子的数量,导致电阻下降。
步骤 4:还原性气体吸附到n型半导体上
还原性气体吸附到n型半导体上时,会与半导体表面的电子发生反应,产生更多的电子,从而增加载流子的数量,导致电阻下降。