热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近浓度下降。( )

步骤 1：理解杂质再分布过程
在热氧化过程中，硅表面会形成二氧化硅层。硅中的杂质会扩散到二氧化硅中，形成杂质再分布。杂质的再分布取决于杂质在硅和二氧化硅中的扩散系数以及它们的分配系数k。

步骤 2：分析分配系数k<1的情况
分配系数k定义为杂质在二氧化硅中的浓度与在硅中的浓度之比。当k<1时，意味着杂质在二氧化硅中的浓度低于在硅中的浓度。然而，由于二氧化硅中的杂质扩散速度较慢，杂质在二氧化硅中的浓度会逐渐增加，而硅中的杂质浓度会逐渐减少。

步骤 3：确定杂质浓度变化
对于k<1的慢扩散杂质，再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度会比硅中高，因为二氧化硅中的杂质扩散速度较慢，杂质在二氧化硅中的浓度会逐渐增加。同时，硅表面附近的杂质浓度会下降，因为杂质扩散到二氧化硅中，导致硅中的杂质浓度减少。