下列关于硅片的干式抛光工艺说法正确的是:()。 A. 该工艺不需要使用水和研磨膏B. 该工艺需要使用水和研磨膏C. 该工艺的主要目的是去除应力D. 该工艺的主要目的是减薄硅片

本题考查硅片干式抛光工艺的核心特点及目的。关键点在于区分干式抛光与湿式抛光的主要区别，以及明确该工艺的主要作用。

1. 干式抛光与湿式抛光的区别：湿式抛光通常需要水和研磨膏作为介质，而干式抛光不使用液体，采用固态磨料或其他干法工艺，减少污染，适合高精度制造环境。
2. 工艺目的：抛光工艺的主要目标包括去除应力和减薄硅片。干式抛光更侧重于去除加工过程中产生的内部应力，而非大幅减薄硅片厚度。

选项分析

• 选项A：干式抛光的核心特征是不使用水和研磨膏，符合工艺定义，正确。
• 选项B：若需要水和研磨膏，则属于湿式抛光，与题干矛盾，错误。
• 选项C：干式抛光的主要目的之一是去除应力，正确。
• 选项D：减薄硅片通常是化学机械抛光（CMP）的主要目标，而干式抛光更注重表面处理，非主要目的，错误。

关键矛盾点：题目答案为A，说明选项C虽描述正确，但并非本题考查重点。题目着重考查工艺特征而非目的，因此选项A为最优解。