采用化学气相沉积的方法进行材料制备必须满足三个基本条件,下列选项中错误的是()A. 在沉积温度下,反应物必须具有足够高的蒸气压。B. 除了在衬底上沉积形成的涂层产物之外,其它反应产物必须是挥发性的。C. 用于沉积的衬底其表面需光滑平整。D. 所沉积的材料和衬底本身必须有足够低的蒸气压。

化学气相沉积（CVD）的核心是通过气相中的化学反应在衬底表面沉积固体材料。本题需判断四个选项中哪一项不符合CVD的基本条件。
关键点：

1. 反应物蒸气压：反应物需在沉积温度下保持气态（选项A正确）。
2. 产物挥发性：除沉积产物外，其他副产物需挥发（选项B正确）。
3. 材料稳定性：沉积材料和衬底需在沉积后保持固态（选项D正确）。
4. 衬底条件：题目中选项C的“光滑平整”并非CVD的基本要求，实际应用中衬底表面状态可能影响均匀性，但并非必须满足的条件。

选项分析

A. 反应物蒸气压
CVD依赖气相反应，反应物需在沉积温度下具有足够高的蒸气压，否则无法形成气态反应物。正确。

B. 副产物挥发性
若副产物不挥发，会在衬底表面残留，影响沉积效果。正确。

C. 衬底表面光滑平整
CVD的基本条件不强制要求衬底表面光滑平整。实际中，衬底需清洁以保证反应活性，但表面状态（如粗糙度）可通过工艺参数调整。错误。

D. 材料蒸气压
沉积材料和衬底需在沉积温度下保持固态，避免二次挥发。正确。