对晶向为、6英寸N型半导体材料来说,( )是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。A. 主平面B. 次平面C. 两个平面均可D. 定位槽

本题考查半导体晶圆的晶面结构及其在光刻工艺中的应用。关键点在于理解主平面和次平面在晶圆加工中的作用，以及晶向对光刻对准的影响。

• 主平面是晶圆的主要加工面，通常具有更高的对称性和平坦度，作为基准面用于初始对准。
• <111>晶向的晶圆，主平面一般为（111）面，次平面可能为其他晶面。
• 光刻第一步需确定晶圆方向，主平面作为基准确保图案与晶体方向对齐，避免错位。

晶面与晶向的关系

• 晶圆的主平面是晶体的主要晶面（如（111）面），与晶向<111>垂直。
• 次平面可能为其他晶面（如（110）或（100）），但对称性较低。

光刻对准的依据

• 第一步光刻需确定晶圆方向，主平面因对称性好、平坦度高，成为基准面。
• 定位槽（选项D）用于机械固定，而非对准基准。
• 次平面可能在后续步骤中辅助对准，但非初始依据。