题目
亚微米CMOSIC工艺流程。⑫接触孔工艺:晶体管与金属层1连接通道。接触孔光刻→干法刻蚀→淀积阻挡层金属→淀积钨→CMP。淀积钨的工艺是金属____工艺,金属CVD具有优良的台阶覆盖率以及对高深宽比接触通孔无间隙的填充。A. 电镀B. 电子束蒸发C. CVDD. PVD
亚微米CMOSIC工艺流程。⑫接触孔工艺:晶体管与金属层1连接通道。接触孔光刻→干法刻蚀→淀积阻挡层金属→淀积钨→CMP。淀积钨的工艺是金属____工艺,金属CVD具有优良的台阶覆盖率以及对高深宽比接触通孔无间隙的填充。
A. 电镀
B. 电子束蒸发
C. CVD
D. PVD
题目解答
答案
C. CVD
解析
在亚微米CMOS IC工艺流程中，接触孔工艺是用于连接晶体管和金属层1的关键步骤。淀积钨的工艺是金属CVD工艺，CVD（化学气相沉积）工艺具有优良的台阶覆盖率以及对高深宽比接触通孔无间隙的填充能力，这使得它成为淀积钨的理想选择。