离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。A. 正确B. 错误

本题考查半导体工艺中离子注入与扩散工艺的比较，核心在于理解两种工艺的关键特点。
离子注入通过高能离子束将杂质注入晶圆，具有高均匀性和高纯度，因为过程可控且在真空环境中进行。
扩散工艺依赖高温使杂质原子扩散，易受温度梯度影响，导致均匀性较差，且可能引入杂质。
破题关键是明确两种工艺的工作原理及优劣。

1. 离子注入的特点

   • 均匀性：离子束能量可控，杂质分布深度和浓度均匀。
   • 纯度：在真空环境下进行，避免外界污染，杂质纯度高。

2. 扩散工艺的特点

   • 均匀性：依赖高温，易受温度不均影响，杂质分布可能不均匀。
   • 纯度：高温可能导致材料分解或引入其他污染物。

3. 对比结论
   离子注入在均匀性和杂质纯度上显著优于扩散工艺，因此题目描述正确。