离子注入工艺中,可用光刻胶来作为注入时的掩蔽膜-|||-A 对-|||-B 错

离子注入工艺是半导体制造中的关键步骤，用于将特定离子注入硅片以改变其电性能。掩膜层的作用是保护非目标区域，确保离子仅注入指定区域。本题考查对常用掩膜材料的了解，光刻胶因其耐辐射、可图案化等特性，确实在离子注入中作为掩膜使用。

离子注入过程中，需使用掩膜材料覆盖非目标区域。光刻胶通过光刻工艺形成图案化掩膜，具有以下优势：

1. 耐辐射性：能承受离子注入时的高能量轰击。
2. 温度适应性：在离子注入的温度范围内保持结构稳定。
3. 高分辨率：可形成精细图案，精确控制注入区域。

因此，题目中“光刻胶作为注入时的掩蔽膜”描述正确。