在半导体制造业中，一种常见的面缺陷会导致器件性能下降。以下哪项是这种缺陷的示例，且可以通过特定工艺手段加以控制以优化器件性能？A 位错，通过塑性变形消除B 间隙原子，通过化学腐蚀去除C 晶界，通过采用单晶生长技术减少D 空位，通过退火工艺填充

在半导体制造业中，一种常见的面缺陷会导致器件性能下降。以下哪项是这种缺陷的示例，且可以通过特定工艺手段加以控制以优化器件性能？ A 位错，通过塑性变形消除 B 间隙原子，通过化学腐蚀去除 C 晶界，通过采用单晶生长技术减少 D 空位，通过退火工艺填充