去胶的方法有哪些?() A. ,溶剂去胶B. ,氧化剂去胶C. ,等离子体去胶D. ,化学机械抛光

去胶的方法主要依赖于去除光刻胶层的化学或物理过程。光刻胶是用于微电子制造中的关键材料，用于在半导体晶圆上定义图案。去除光刻胶层的方法包括使用溶剂、氧化剂或等离子体。化学机械抛光（CMP）虽然也是一种去除材料的方法，但它主要用于平坦化表面，而不是专门用于去除光刻胶。因此，去胶的方法主要包括溶剂去胶、氧化剂去胶和等离子体去胶。