若某半导体材料的禁带宽度E_g增大，本征载流子浓度ni会如何变化？A. 减小B. 增大C. 先增大后减小D. 不变

本题考查半导体物理中禁带宽度与本征载流子浓度的关系。解题思路是先明确本征载流子浓度的计算公式，再分析禁带宽度增大时对本征载流子浓度的影响。

本征载流子浓度 $n_i$ 的计算公式为：
$n_i = \sqrt{N_cN_v}e^{-\frac{E_g}{2kT}}$
其中，$N_c$ 是导带底的有效状态密度，$N_v$ 是价带顶的有效状态密度，$E_g$ 是禁带宽度，$k$ 是玻尔兹曼常数，$T$ 是绝对温度。

在温度 $T$ 一定的情况下，$N_c$、$N_v$、$k$ 均为常数。当禁带宽度 $E_g$ 增大时，$-\frac{E_g}{2kT}$ 的值会变小。

因为指数函数 $y = e^x$ 是单调递增函数，所以当指数 $-\frac{E_g}{2kT}$ 变小时，$e^{-\frac{E_g}{2kT}}$ 的值会减小。

又因为 $n_i = \sqrt{N_cN_v}e^{-\frac{E_g}{2kT}}$，$\sqrt{N_cN_v}$ 为常数，所以 $n_i$ 会随着 $e^{-\frac{E_g}{2kT}}$ 的减小而减小。