判断题 薄膜制备的方式中，CVD不消耗衬底材料。

考查要点：本题主要考查对化学气相沉积（CVD）基本原理的理解，特别是衬底材料在薄膜制备过程中的作用。

解题核心：明确CVD工艺中衬底的性质与功能。关键点在于判断衬底是否参与化学反应或物理消耗。CVD的核心是气态前驱体在衬底表面反应生成薄膜，而衬底通常作为惰性支撑，不参与化学反应，因此不会被消耗。

化学气相沉积（CVD）是一种通过气态前驱体在衬底表面发生化学反应形成薄膜的技术。其基本步骤包括：

1. 前驱体引入：气态反应物进入反应腔；
2. 表面反应：前驱体在衬底表面发生化学反应或分解；
3. 薄膜生长：反应生成的固体物质沉积在衬底上。

衬底的作用：

• 提供附着表面：薄膜在此生长；
• 物理支撑：保持结构稳定；
• 通常不参与化学反应：衬底材料（如硅、玻璃等）在标准CVD工艺中保持化学惰性，仅作为反应场所。

结论：CVD过程中，衬底材料不被消耗，仅作为基底使用，因此题目描述正确。