离子注入的晶格损伤

离子注入是一种将高能离子引入半导体材料（如硅）中的技术。当高能离子与硅片中的原子发生碰撞时，它们可能会使原子从其晶格位置移位，从而产生空位和间隙原子。这些空位和间隙原子可以进一步与其它原子发生碰撞，导致一系列的空位-间隙原子对的形成，以及其它类型的晶格无序分布。这种由于离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。