二、判断题-|||-1、点缺陷引起的剩余电阻率变化远比线缺陷的影响大。 ()-|||-2、由于晶格热振动的加剧,金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大。-|||-()()-|||-3、P型半导体以电子导电为主,而N型半导体以空穴导电为主。 ()-|||-4、温度升高,铁磁性材料的饱和磁化强度MS、剩磁 Br 、矫顽力HC均降低。-|||-()-|||-5、抗磁体的磁化率或者与温度无关,或者随温度变化产生很大变化。() ()-|||-6、导温系数反映的是温度变化过程中材料各部分温度趋于一致的能力。() ()-|||-7、一级相变时,体积和热焓无明显变化,而摩尔定压热容为无限大。 ()-|||-8、自由电子对摩尔定容热容的贡献与点阵振动相比微不足道。() ()-|||-9、磁畴壁的迁移过程是通过原子扩散完成的。() ()

步骤 1：点缺陷和线缺陷对剩余电阻率的影响
点缺陷和线缺陷都会对材料的剩余电阻率产生影响，但点缺陷的影响通常比线缺陷大。这是因为点缺陷会增加材料内部的散射中心，从而增加电子的散射几率，导致电阻率增加。而线缺陷虽然也会增加散射中心，但其影响相对较小。
步骤 2：晶格热振动对金属和半导体电阻率的影响
晶格热振动的加剧会导致金属和半导体的电阻率变化，但变化趋势不同。对于金属，电阻率随温度升高而增大，因为温度升高会增加电子与晶格的散射几率。而对于半导体，电阻率随温度升高而减小，因为温度升高会增加载流子的浓度，从而降低电阻率。
步骤 3：P型半导体和N型半导体的导电机制
P型半导体以空穴导电为主，而N型半导体以电子导电为主。这是因为P型半导体中，空穴是主要的载流子，而N型半导体中，电子是主要的载流子。
步骤 4：温度对铁磁性材料磁化强度的影响
温度升高会导致铁磁性材料的饱和磁化强度MS、剩磁Br、矫顽力HC均降低。这是因为温度升高会增加材料内部的热运动，从而降低磁化强度。
步骤 5：抗磁体的磁化率与温度的关系
抗磁体的磁化率通常与温度无关，或者随温度变化产生很小的变化。这是因为抗磁体的磁化率主要取决于材料的电子结构，而电子结构通常不受温度影响。
步骤 6：导温系数的定义
导温系数反映的是温度变化过程中材料各部分温度趋于一致的能力。导温系数越大，材料的温度趋于一致的能力越强。
步骤 7：一级相变的特征
一级相变时，体积和热焓会发生明显变化，而摩尔定压热容为无限大。这是因为一级相变是通过相变界面的移动完成的，相变界面的移动会导致体积和热焓的变化。
步骤 8：自由电子对摩尔定容热容的贡献
自由电子对摩尔定容热容的贡献与点阵振动相比微不足道。这是因为自由电子的热容主要取决于电子的能级分布，而点阵振动的热容主要取决于晶格的振动模式。
步骤 9：磁畴壁的迁移过程
磁畴壁的迁移过程是通过磁畴壁的移动完成的，而不是通过原子扩散完成的。这是因为磁畴壁的移动是通过磁畴壁的翻转完成的，而不是通过原子的扩散完成的。