【单选题】在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。A. 温度 B. 掺杂浓度 C. 掺杂工艺 D. 晶体缺陷

本题考查掺杂半导体中多子浓度的决定因素。关键在于理解多子的来源：在掺杂半导体中，多子主要由掺入的杂质产生，而掺杂浓度直接决定了多子的数量。其他因素如温度、工艺、缺陷虽然可能间接影响，但非主要决定因素。

选项分析

A. 温度

温度主要影响本征半导体的载流子浓度（通过热激发），但对掺杂半导体中多子浓度的影响较小，因为多子主要来自掺杂而非热激发。

B. 掺杂浓度

掺杂过程通过引入杂质（如磷、硼）直接生成大量多子。掺杂浓度越高，多子数量越多，因此这是多子浓度的直接决定因素。

C. 掺杂工艺

工艺（如离子注入、扩散）影响掺杂的均匀性和实现难度，但题目问的是浓度的本质原因，而非实现手段。

D. 晶体缺陷

缺陷可能改变材料电性能，但多子浓度主要由杂质数量决定，与缺陷无直接关系。