硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。

在硅衬底上淀积氮化硅之前，制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层是必要的。这是因为氧化硅层可以减少硅衬底和氮化硅之间的热膨胀系数差异，从而减少应力，防止氮化硅层在淀积过程中或后续热处理过程中产生裂纹或剥离。此外，氧化硅层还可以作为氮化硅和硅衬底之间的过渡层，改善氮化硅层的附着力和均匀性。