下列材料中属于宽禁带半导体的有:A. GeB. SiCC. SiD. GaN

宽禁带半导体是指禁带宽度大于等于2.3 eV的半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频等特性，广泛应用于功率电子和微波器件。本题需判断选项中哪些属于此类材料。
关键点：

1. 禁带宽度是核心判断依据；
2. 常见宽禁带半导体包括SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等；
3. 窄禁带半导体如Si（硅）、Ge（锗）需排除。

选项分析

A. Ge（锗）

• 禁带宽度约0.67 eV，属于窄禁带半导体，排除。

B. SiC（碳化硅）

• 禁带宽度约3.3 eV，属于宽禁带半导体，正确。

C. Si（硅）

• 禁带宽度约1.1 eV，属于窄禁带半导体，排除。

D. GaN（氮化镓）

• 禁带宽度约3.4 eV，属于宽禁带半导体，正确。