再分布扩散时，常常通入氧气，同时进行氧化过程，又称氧化推进工艺。A. 正确B. 错误

本题考查半导体制造工艺中的扩散过程，特别是氧化推进工艺的概念。关键点在于理解再分布扩散与氧化过程的结合方式。需明确：

1. 扩散工艺通常涉及杂质掺入硅晶圆，控制电性能；
2. 氧化推进工艺是否通过通入氧气同时实现扩散与氧化。
   核心思路是判断题目描述的工艺是否存在，需结合半导体制造流程中的具体步骤进行分析。

氧化推进工艺是半导体制造中的一种特殊扩散技术，其特点是在扩散过程中同步进行氧化反应。具体分析如下：

1. 常规扩散工艺：通常在惰性或还原性气氛（如氮气、氢气）中进行，避免晶圆表面氧化。
2. 氧化推进工艺的创新点：通过通入氧气，在扩散的同时促进氧化反应。氧化生成的应力或结构变化可加速杂质扩散，从而提高工艺效率或优化杂质分布。
3. 题目描述的准确性：题目中“通入氧气，同时进行氧化过程”与氧化推进工艺的定义一致，因此描述正确。