碑化稼的能带结构是( A )能隙结构,硅和错的能带结构 是( )A. 直接 B. 间接 C. Si掺杂入GaAs中,Si取代Ga则起施主杂质作用,若Si取代 As则起(B )杂质作用。 D. 施主 E. 受主 F. 陷阱 G. 复合中心

本题考查半导体材料的能带结构类型及掺杂杂质的作用类型。

1. 能带结构：需区分直接能隙与间接能隙材料。GaAs（碑化稼）是直接能隙材料，而硅（Si）是间接能隙材料。
2. 掺杂作用：Si掺杂GaAs时，需根据取代的原子位置（Ga或As）判断杂质类型。Si取代Ga时为施主杂质，取代As时为受主杂质。

第（1）题：GaAs和Si的能带结构

1. GaAs的能带结构：GaAs属于直接能隙化合物半导体，其导带最小值与价带最大值在动量空间中重合，因此能隙为直接型。
2. 硅的能带结构：硅是间接能隙半导体，导带最小值与价带最大值在动量空间中不重合，需通过声子辅助跃迁，因此能隙为间接型。

第（2）题：Si掺杂GaAs的作用类型

1. Si取代Ga的位置：
   • Ga是III族元素（原子序数31），Si是IV族元素（原子序数14）。
   • Si取代Ga后，原子序数降低，导致Ga空位，释放自由电子，起施主杂质作用。
2. Si取代As的位置：
   • As是V族元素（原子序数33），Si是IV族元素。
   • Si取代As后，原子序数降低，导致As空位，形成受主杂质作用。