以下因素中,不属于外延生长速率影响因素的是:A. 抛光速度B. 反应速度C. 四氯化碳浓度D. 衬底晶向

步骤 1：理解外延生长速率的影响因素
外延生长速率是指在半导体制造过程中，外延层在衬底上生长的速度。影响外延生长速率的因素主要包括反应速度、衬底晶向、气体浓度等。这些因素直接影响到外延层的生长速度和质量。

步骤 2：分析选项
A. 抛光速度：抛光速度是指在抛光过程中去除材料的速度，与外延生长速率没有直接关系。
B. 反应速度：反应速度直接影响外延层的生长速度，是外延生长速率的重要影响因素。
C. 四氯化碳浓度：四氯化碳是外延生长过程中常用的气体之一，其浓度直接影响到外延层的生长速度。
D. 衬底晶向：衬底晶向影响外延层的生长方向和质量，是外延生长速率的重要影响因素。

步骤 3：确定不属于外延生长速率影响因素的选项
根据以上分析，抛光速度与外延生长速率没有直接关系，因此不属于外延生长速率的影响因素。