【单选题】常常采用的铜互连工艺称为:A. 铜电镀B. 单层互连C. 多层互连D. 双大马士革工艺

本题考查半导体制造中的铜互连工艺相关知识。关键点在于理解不同工艺的定义及应用场景：

• 铜互连工艺的核心是解决高密度集成电路中信号传输的电阻和延迟问题，铜因低电阻特性被采用。
• 双大马士革工艺是通过两次大马士革步骤（埋入层和连线层）实现互连结构，简化流程并提高效率，是当前主流工艺。
• 其他选项（如铜电镀、单/多层互连）或为工艺中的局部技术，或描述结构类型，与题目要求的“整体工艺名称”不符。

选项分析

A. 铜电镀

铜电镀是铜互连工艺中的具体沉积方法，用于形成铜层，但并非整体工艺名称，属于局部步骤。

B. 单层互连

单层互连描述的是互连结构的层数，与工艺方法无关，且现代集成电路普遍采用多层互连。

C. 多层互连

同理，多层互连仅说明结构特征，未涉及工艺实现方式。

D. 双大马士革工艺

双大马士革工艺通过两次大马士革步骤（埋入层和连线层）同时形成互连线和通孔，显著减少工艺步骤，是铜互连中最常用的工艺。其名称直接对应题目中“工艺”的核心要求。