题目
阻碍位错运动的障碍不同,强化机理不同。 第一种是溶质原子,引起 ;第二种是晶界原子,引起A. ; 第三种是第二相粒子,引起 D ;第四种是位错本身,引起 B. 。A. 细晶强化B. 位错强化C. 固溶强化D. 沉淀强化(弥散强化)
阻碍位错运动的障碍不同,强化机理不同。 第一种是溶质原子,引起 ;第二种是晶界原子,引起A. ; 第三种是第二相粒子,引起 D ;第四种是位错本身,引起 B. 。
A. 细晶强化
B. 位错强化
C. 固溶强化
D. 沉淀强化(弥散强化)
题目解答
答案
C. 固溶强化