题目
下列哪个不是第三代半导体材料()A. 金刚石B. 氧化铜(CuO)C. 碳化硅(SiC)D. 氮化镓(GaN)
下列哪个不是第三代半导体材料()
A. 金刚石
B. 氧化铜(CuO)
C. 碳化硅(SiC)
D. 氮化镓(GaN)
题目解答
答案
B. 氧化铜(CuO)
解析
步骤 1:了解第三代半导体材料的定义
第三代半导体材料是指具有宽禁带宽度的半导体材料,通常包括金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。这些材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等优点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。
步骤 2:分析选项
A. 金刚石:是第三代半导体材料之一,具有极高的热导率和击穿电场。
B. 氧化铜(CuO):不是第三代半导体材料,它是一种金属氧化物,具有半导体性质,但不属于宽禁带半导体。
C. 碳化硅(SiC):是第三代半导体材料之一,具有高热导率和高击穿电场。
D. 氮化镓(GaN):是第三代半导体材料之一,具有高电子饱和速率和高热导率。
步骤 3:确定答案
根据上述分析,选项B氧化铜(CuO)不是第三代半导体材料。
第三代半导体材料是指具有宽禁带宽度的半导体材料,通常包括金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。这些材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等优点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。
步骤 2:分析选项
A. 金刚石:是第三代半导体材料之一,具有极高的热导率和击穿电场。
B. 氧化铜(CuO):不是第三代半导体材料,它是一种金属氧化物,具有半导体性质,但不属于宽禁带半导体。
C. 碳化硅(SiC):是第三代半导体材料之一,具有高热导率和高击穿电场。
D. 氮化镓(GaN):是第三代半导体材料之一,具有高电子饱和速率和高热导率。
步骤 3:确定答案
根据上述分析,选项B氧化铜(CuO)不是第三代半导体材料。