下列关于晶体的生长,错误的是( )A. 单核生长的特点是成核时间大大超过单层生长时间B. 多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系C. 层生长理论认为晶体生长过程是晶面层层外推的过程D. 二维生长机理的适用条件为溶质浓度不小于溶解度的101%-102%

步骤 1：理解晶体生长的机理
晶体生长的机理包括单核生长、多核生长、层生长和二维生长等。每种机理都有其适用条件和特点。
步骤 2：分析单核生长的特点
单核生长是指晶体生长过程中，成核时间大大超过单层生长时间，即晶体生长主要依赖于单个晶核的生长。
步骤 3：分析多核生长的适用条件
多核生长机理适用于相对过饱和度较高的体系，即溶液中溶质的浓度远高于其溶解度，导致多个晶核同时形成并生长。
步骤 4：分析层生长理论
层生长理论认为晶体生长过程是晶面层层外推的过程，即晶体表面的原子层逐层向外扩展。
步骤 5：分析二维生长机理的适用条件
二维生长机理的适用条件为溶质浓度不小于溶解度的101%-102%，即溶液中溶质的浓度略高于其溶解度，导致晶体表面的原子层逐层向外扩展。
步骤 6：判断错误选项
根据以上分析，选项A、C、D的描述都是正确的，而选项B的描述是错误的，因为多核生长机理适用于相对过饱和度较高的体系，而不是相对过饱和度较低的体系。