热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近浓度下降。( )

在热氧化过程中，硅表面会形成二氧化硅层。当硅中的杂质扩散到二氧化硅中时，如果杂质在二氧化硅中的扩散系数（D）小于在硅中的扩散系数（D'），即k = D/D' < 1，那么杂质在二氧化硅中的扩散速度会比在硅中的扩散速度慢。因此，杂质在二氧化硅中的浓度会比在硅中的浓度高，导致硅表面附近的杂质浓度下降。