为减少自掺杂现象,可以采取的措施有:()。A. 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B. 用两步外延法C. 低压外延法D. 降低外延生长温度

步骤 1：理解自掺杂现象
自掺杂现象是指在半导体外延生长过程中，由于衬底背面的杂质扩散到外延层中，导致外延层的杂质浓度增加，从而影响外延层的电学性能。为了减少这种现象，可以采取一些措施。

步骤 2：分析选项 A
衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖可以有效阻挡杂质的扩散，从而减少自掺杂现象。

步骤 3：分析选项 B
用两步外延法，即先在外延层中生长一层低杂质浓度的外延层，然后再生长一层高杂质浓度的外延层，可以减少杂质的扩散，从而减少自掺杂现象。

步骤 4：分析选项 C
低压外延法是指在较低的压力下进行外延生长，可以减少杂质的扩散，从而减少自掺杂现象。

步骤 5：分析选项 D
降低外延生长温度可以减少杂质的扩散，从而减少自掺杂现象，但温度过低可能会影响外延层的质量。