一扩散，采取两歩工艺:预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。A. 正确B. 错误

在半导体工艺中，扩散过程通常分为两个步骤：预淀积和再分布。预淀积阶段，温度较高且时间较长，目的是使杂质充分进入硅片中。再分布阶段，温度较低且时间较短，目的是使杂质分布更加均匀。如果杂质分布近似服从高斯分布，说明杂质在硅片中的分布是均匀的，符合再分布阶段的预期。然而，题目中提到的再分布温度和时间并不符合常规的再分布工艺，因此，题目中的描述是错误的。