【多选题】GaN能成为目前使用范围最广的照明用LED材料,其主要原因在于()。A. GaN是直接带隙半导体。B. GaN采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备。C. 通过掺杂，GaN材料体系的禁带宽度可以在1.95~6.2eV范围内调节。D. 已实现高质量p型GaN材料的稳定制备

本题考查GaN作为照明用LED材料的核心优势，需结合半导体材料特性分析。关键点在于：

1. 直接带隙半导体特性决定发光效率；
2. 禁带宽度可调范围决定光谱覆盖能力；
3. p型材料制备技术的突破对器件结构的影响。
   选项需从材料本身的物理特性出发，而非制备工艺。

A. GaN是直接带隙半导体

直接带隙半导体的电子跃迁以辐射复合为主，发光效率高。间接带隙半导体（如Si、GaAs）需借助声子辅助跃迁，发光效率低。因此，GaN的直接带隙特性是其成为LED材料的核心原因。

B. GaN采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备

MOCVD是GaN的常用制备方法，但制备工艺并非材料本身的特性。题目问的是材料优势，而非工艺优势，因此此选项不选。

C. 通过掺杂，GaN材料体系的禁带宽度可以在 $1.95~6.2\text{eV}$ 范围内调节

GaN的禁带宽度可通过掺杂Al、In等元素形成AlGaN、InGaN合金，实现宽范围调节。这使其能覆盖紫外到可见光全波段，满足不同照明需求，是重要优势。

D. 已实现高质量p型GaN材料的稳定制备

p型GaN制备曾是技术难点。稳定制备p型材料后，可形成高质量p-n结，保障LED的电注入效率和寿命，是产业化关键。