题目
2.[单选题]PECVDD工艺全称是()。A. 物理气相沉积[1]B. 等离子体增强化学气相沉积[2]C. 化学气相沉积D. 原子层沉积
2.[单选题]PECVDD工艺全称是()。
A. 物理气相沉积[1]
B. 等离子体增强化学气相沉积[2]
C. 化学气相沉积
D. 原子层沉积
题目解答
答案
B. 等离子体增强化学气相沉积[2]
解析
PECVD是Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition的缩写,中文翻译为等离子体增强化学气相沉积。这是一种在半导体制造中常用的薄膜沉积技术,通过等离子体来增强化学反应,从而在基底上沉积薄膜。