题目
下面关于拉制单晶的问题,哪个正确A. 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的。B. 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素。C. 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的。D. 实际干锅内熔体的温度梯度为零。
下面关于拉制单晶的问题,哪个正确
A. 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的。
B. 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素。
C. 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的。
D. 实际干锅内熔体的温度梯度为零。
题目解答
答案
AB
A. 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的。
B. 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素。
A. 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的。
B. 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素。