二、判断题(正确的打√,错误的打x,每题1分,共10分)-|||-1.网络型高分子不可能出现黏流态。 ()-|||-2.一个位错环不可能处处都是螺位错,也不可能处处都是刃位错。 ()-|||-3.陶瓷晶体的变形除与结合键的本性有关外,还与晶体的滑移系少、位错的柏氏矢量-|||-大有关。 ()-|||-4.为了消除硫化物在钢中的热脆,其两面角要大。 ()-|||-5.再结晶结束后发生晶粒长大时的驱动力主要来自高的总晶界能。 ()-|||-6.扩散过程中,原子的流量直接正比于扩散时间。 ()-|||-7.由于碳在奥氏体中的扩散系数比铁素体中大,故钢的渗碳处理常常在奥氏体相区-|||-进行。 ()-|||-8.冷变形金属中存在大量的空位、位错等晶体缺陷,这些缺陷阻碍原子的移动,减缓-|||-扩散过程。 ()-|||-9.拉伸和压缩时所得的真应力-应变曲线都在工程应力一应变曲线上方。 ()-|||-10.二次再结晶是形核长大过程。 ()

本题主要考查高分子材料、晶体缺陷、金属材料的变形与再结晶、扩散以及应力 - 应变曲线等多方面的知识。解题思路是依据各知识点的基本概念、原理和特性，对每个判断题进行逐一分析判断。

1. 网络型高分子不可能出现黏流态。

网络型高分子的分子链之间通过化学键形成三维网状结构，这种结构使得分子链的相对运动受到极大限制，无法像线型高分子那样在一定条件下发生相对滑动而呈现黏流态。所以该说法正确。

2. 一个位错环不可能处处都是螺位错，也不可能处处都是刃位错。

实际上，存在特殊的位错环，例如棱柱位错环，它可以处处都是螺位错；还有纯刃型位错环，它可以处处都是刃位错。所以该说法错误。

3. 陶瓷晶体的变形除与结合键的本性有关外，还与晶体的滑移系少、位错的柏氏矢量大有关。

陶瓷晶体通常具有离子键或共价键，结合键较强，这使得其变形困难。同时，陶瓷晶体的滑移系少，位错的柏氏矢量大，位错运动的阻力大，进一步限制了晶体的变形。所以该说法正确。

4. 为了消除硫化物在钢中的热脆，其两面角要大。

硫化物在钢中形成低熔点共晶体，分布在晶界上，导致热脆。当硫化物的两面角大时，硫化物容易呈球状分布，减少了在晶界上的连续性，从而降低了热脆倾向。所以该说法正确。

5. 再结晶结束后发生晶粒长大时的驱动力主要来自高的总晶界能。

再结晶结束后，晶粒长大的过程是晶界迁移的过程，晶界迁移的驱动力是降低系统的总晶界能。所以该说法正确。

6. 扩散过程中，原子的流量直接正比于扩散时间。

根据菲克第一定律，原子的流量$J=-D\frac{dc}{dx}$，其中$D$是扩散系数，$\frac{dc}{dx}$是浓度梯度。原子的流量与扩散系数和浓度梯度有关，而不是直接正比于扩散时间。所以该说法错误。

7. 由于碳在奥氏体中的扩散系数比铁素体中大，故钢的渗碳处理常常在奥氏体相区进行。

碳在奥氏体中的扩散系数比在铁素体中大，在奥氏体相区进行渗碳处理可以加快碳的扩散速度，提高渗碳效率。所以该说法正确。

8. 冷变形金属中存在大量的空位、位错等晶体缺陷，这些缺陷阻碍原子的移动，减缓扩散过程。

冷变形金属中的空位、位错等晶体缺陷会提供额外的扩散途径，增加原子的扩散几率，从而加速扩散过程，而不是减缓。所以该说法错误。

9. 拉伸和压缩时所得的真应力 - 应变曲线都在工程应力 - 应变曲线上方。

在拉伸过程中，真应力 - 应变曲线在工程应力 - 应变曲线上方；但在压缩过程中，由于材料的横向膨胀受到限制，工程应力 - 应变曲线会高于真应力 - 应变曲线。所以该说法错误。

10. 二次再结晶是形核长大过程。

二次再结晶是少数晶粒异常长大的过程，它不是形核长大过程，而是在已有的晶粒基础上进行的。所以该说法错误。