气相外延生长硅时,常常采用的硅源是A. SiCl4B. TEOSC. SiH2Cl2D. SiH4

步骤 1：理解气相外延生长硅的原理
气相外延生长硅是一种在硅衬底上通过化学气相沉积（CVD）方法生长硅薄膜的技术。该过程需要一种硅源气体，这种气体在高温下分解并沉积在硅衬底上形成硅薄膜。

步骤 2：分析选项中的硅源气体
A. SiCl4（四氯化硅）：在高温下可以分解为硅和氯气，是气相外延生长硅的常用硅源之一。
B. TEOS（四乙氧基硅烷）：虽然可以作为硅源，但主要用于氧化硅薄膜的生长，不是气相外延生长硅的常用硅源。
C. SiH2Cl2（二氯硅烷）：在高温下可以分解为硅和氯气，是气相外延生长硅的常用硅源之一。
D. SiH4（硅烷）：在高温下可以分解为硅和氢气，是气相外延生长硅的常用硅源之一。

步骤 3：确定正确答案
根据上述分析，气相外延生长硅时，常常采用的硅源是SiCl4、SiH2Cl2和SiH4，而TEOS不是气相外延生长硅的常用硅源。