题目
晶界移动通遇到夹杂物时会出现哪几种情况？从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？
晶界移动通遇到夹杂物时会出现哪几种情况？从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？
题目解答
答案
晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况。 （1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。 （2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。 （3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道排除，使烧结停止，致密度不再增加，这将出现二次再结晶现象。 从实现致密化目的考虑，晶界应按第二种情况移动，控制晶界的能量以增加致密度。
解析
步骤 1：晶界能量较小
当晶界能量较小，不足以克服夹杂物或气孔的阻碍时，晶界移动将被夹杂物或气孔所阻挡，导致晶粒正常长大停止。此时，晶界无法继续移动，阻碍了材料的致密化过程。
步骤 2：晶界具有一定的能量
当晶界具有一定的能量，能够克服夹杂物或气孔的阻碍时，晶界可以带动夹杂物或气孔继续移动。在这种情况下，气孔可以利用晶界的快速通道被排除，从而促进坯体的致密化。
步骤 3：晶界能量大
当晶界能量较大，能够越过夹杂物或气孔时，晶界会越过夹杂物或气孔，将气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离了晶界，无法再利用晶界这样的快速通道被排除，导致烧结停止，致密度不再增加，可能会出现二次再结晶现象。
步骤 4：控制晶界移动
为了实现致密化目的，晶界应按第二种情况移动，即晶界具有一定的能量，能够带动夹杂物或气孔继续移动，从而促进坯体的致密化。控制晶界的能量，可以通过调整烧结温度、压力、气氛等条件来实现，以增加致密度。
当晶界能量较小，不足以克服夹杂物或气孔的阻碍时，晶界移动将被夹杂物或气孔所阻挡，导致晶粒正常长大停止。此时，晶界无法继续移动，阻碍了材料的致密化过程。
步骤 2：晶界具有一定的能量
当晶界具有一定的能量，能够克服夹杂物或气孔的阻碍时，晶界可以带动夹杂物或气孔继续移动。在这种情况下，气孔可以利用晶界的快速通道被排除，从而促进坯体的致密化。
步骤 3：晶界能量大
当晶界能量较大，能够越过夹杂物或气孔时，晶界会越过夹杂物或气孔，将气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离了晶界，无法再利用晶界这样的快速通道被排除，导致烧结停止，致密度不再增加，可能会出现二次再结晶现象。
步骤 4：控制晶界移动
为了实现致密化目的，晶界应按第二种情况移动，即晶界具有一定的能量，能够带动夹杂物或气孔继续移动，从而促进坯体的致密化。控制晶界的能量，可以通过调整烧结温度、压力、气氛等条件来实现，以增加致密度。