AB/500 A B /1000⏺B=-3000W=-ln10.(-3)*0.86*10 *500=5.94*10 *500=0.594eV 4-2. 根据缺陷化学原理推导(1)ZnO 电导率与氧分压的关系。(2)在具有阴离子空位 TiO 2-x 非化学计量化合物中,其电导率与氧分压的关系。(3)在具有阳离子空位 Fe1-xO 非化学计量化合物中,其电导率与氧分压的关系。(4)讨论添加 Al 2O3 对 NiO 电导率的影响。⏺.⏺.⏺精品文档(4)添加 Al 2O3 对 NiO :Al O 2 Al V 3Oo添加 Al 2O3 对 NiO 后形成阳离子空位多,提高了电导率。4-3 本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数 n 可近似表示为:n N exp( E / 2kT )式中 N 为状态密度, k 为波尔兹曼常数, T 为绝对温度。试回答以下问题:(1)设 N=10cm,k=8.6”*10 eV.K 时, Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温-3(20℃)和 500℃时所激发的电子数( cm )各是多少:(2)半导体的电导率σ(Ω .cm)可表示为ne式中 n 为载流子浓度( cm ),e 为载流子电荷(电荷 1.6*10C) ,μ为迁移率( cm.V .s)当电子( e)和空穴( h)同时为载流子时,n e n e 假定 Si 的迁移率μ e=1450(cm.V .s),μ h=500(cm.V .s),且不随温度变化。求 Si 在室温( 20℃)和 500℃时的电导率