【单选题】以下各项中不属于影响气相外延（VPE）生长速率的因素有：A. 反应温度B. 四氯化硅浓度C. 时间D. 衬底晶向

考查要点：本题主要考查对气相外延（VPE）生长速率影响因素的理解，需区分直接影响生长速率的因素与影响总生长量的因素。

解题核心思路：

1. 明确概念：生长速率指单位时间内的晶体生长量（如纳米/小时），而总生长量是速率与时间的乘积。
2. 关键区分：时间是决定总生长量的参数，而非直接影响速率的因素。
3. 排除法：逐一分析选项中各因素是否直接影响单位时间内的生长速率。

破题关键点：

• 反应温度（A）：温度影响反应动力学，是核心因素。
• 四氯化硅浓度（B）：反应物浓度直接影响反应速率。
• 衬底晶向（D）：晶面取向决定表面结构，影响原子吸附和生长路径。
• 时间（C）：仅影响总生长量，与单位时间的速率无关。

选项分析：

1. A. 反应温度
   温度通过改变反应活化能和原子热运动速度，直接影响生长速率。温度升高通常加快反应速率，但过高可能导致副反应。

2. B. 四氯化硅浓度
   四氯化硅是反应物，其浓度直接影响反应物的供应量。浓度越高，单位时间内参与反应的原子越多，生长速率加快。

3. C. 时间
   生长速率的定义为单位时间的生长量（如速率=厚度/时间）。时间本身不改变速率，仅决定总生长厚度（厚度=速率×时间）。因此，时间不属于影响速率的因素。

4. D. 衬底晶向
   衬底晶面取向决定表面原子排列和缺陷分布，影响外延层的附着能和生长路径。不同晶向可能导致不同的台阶密度和生长速率。