题目
在Si衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为0.3Ω·cm的p-Si,975℃时:①求结深和杂质总量;②若继续进行再分布,1100℃,50min,求这时的结深和表面杂质浓度。
在Si衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为0.3Ω·cm的p-Si,975℃时:①求结深和杂质总量;②若继续进行再分布,1100℃,50min,求这时的结深和表面杂质浓度。
题目解答
答案
解:①由图1-13得
;由图1-15得:
由
预淀积工艺主要以恒定表面源扩散为主,所以杂质总量
预淀积为余误差分布,
;由图3.7得:A≈6.2;
②再分布过程符合限定表面源扩散规律,所以表面杂质浓度
atoms/cm2
解析
步骤 1：确定预淀积条件下的结深和杂质总量
根据题目条件，975℃，30min预淀积磷，衬底为0.3Ω·cm的p-Si。首先，需要从图1-13和图1-15中找到975℃时的扩散系数D和扩散长度L。然后，根据恒定表面源扩散的公式计算结深和杂质总量。
步骤 2：计算预淀积后的结深和杂质总量
预淀积工艺主要以恒定表面源扩散为主，所以杂质总量可以通过预淀积的条件计算得出。预淀积为余误差分布，结深可以通过图3.7中的A值来计算。
步骤 3：确定再分布条件下的结深和表面杂质浓度
继续进行再分布，1100℃，50min。再分布过程符合限定表面源扩散规律，所以表面杂质浓度可以通过再分布的条件计算得出。
根据题目条件，975℃，30min预淀积磷，衬底为0.3Ω·cm的p-Si。首先，需要从图1-13和图1-15中找到975℃时的扩散系数D和扩散长度L。然后，根据恒定表面源扩散的公式计算结深和杂质总量。
步骤 2：计算预淀积后的结深和杂质总量
预淀积工艺主要以恒定表面源扩散为主，所以杂质总量可以通过预淀积的条件计算得出。预淀积为余误差分布，结深可以通过图3.7中的A值来计算。
步骤 3：确定再分布条件下的结深和表面杂质浓度
继续进行再分布，1100℃，50min。再分布过程符合限定表面源扩散规律，所以表面杂质浓度可以通过再分布的条件计算得出。