题目
制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______,其生长模式为______。外延生长(在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜)条件:______和______。
制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______,其生长模式为______。外延生长(在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜)条件:______和______。
题目解答
答案
较高的沉积温度 较低的气相过饱和度 层状生长模式 较高的衬底温度 较低的沉积速率
解析
步骤 1:理解沉积条件
在制备完整单晶薄膜时,需要控制沉积条件以确保薄膜的完整性和单晶性质。较高的沉积温度有助于原子的扩散和排列,而较低的气相过饱和度则有助于避免形成多晶或非晶结构。
步骤 2:确定生长模式
在适当的沉积条件下,单晶薄膜的生长模式通常为层状生长模式。在这种模式下,原子逐层沉积,形成有序的晶体结构。
步骤 3:外延生长条件
外延生长是指在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜。为了实现外延生长,需要较高的衬底温度以促进原子的扩散和排列,同时需要较低的沉积速率以确保原子有足够的时间进行有序排列。
在制备完整单晶薄膜时,需要控制沉积条件以确保薄膜的完整性和单晶性质。较高的沉积温度有助于原子的扩散和排列,而较低的气相过饱和度则有助于避免形成多晶或非晶结构。
步骤 2:确定生长模式
在适当的沉积条件下,单晶薄膜的生长模式通常为层状生长模式。在这种模式下,原子逐层沉积,形成有序的晶体结构。
步骤 3:外延生长条件
外延生长是指在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜。为了实现外延生长,需要较高的衬底温度以促进原子的扩散和排列,同时需要较低的沉积速率以确保原子有足够的时间进行有序排列。