影响氧化速率的因素主要有氧化方式、氧化温度、硅片晶向、氧化剂压力、掺杂水平等,其中,湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率。A. 正确B. 错误

本题考查半导体氧化工艺中不同氧化方式对氧化速率的影响。关键点在于理解湿氧、水汽氧化、干氧三种氧化方式的速率关系。需明确：

1. 湿氧是在氧气中加入水蒸气，水蒸气可加速氧化反应；
2. 干氧是纯氧气环境，无水蒸气；
3. 水汽氧化若指纯水蒸气环境，则氧化效率较低。

核心思路：湿氧因水蒸气的促进作用速率最快，干氧次之，纯水蒸气（水汽氧化）效率最低。题目中“湿氧 > 水汽 > 干氧”的排序错误。

氧化方式速率对比

1. 湿氧氧化：氧气与水蒸气共同作用，水蒸气促进氧化反应，速率最快。
2. 干氧氧化：仅纯氧气参与，无水蒸气促进，速率较慢。
3. 水汽氧化：若指纯水蒸气环境，氧化效率极低，甚至难以有效进行。

结论

题目中“湿氧氧化速率 > 水汽氧化速率 > 干氧氧化速率”的排序错误，正确应为湿氧 > 干氧 > 水汽（若水汽氧化指纯水蒸气环境）。