(易)光刻工艺的主要目的是:A. 在晶圆上形成图案B. 去除晶圆表面的杂质C. 提高晶圆的导电性D. 改变晶圆的机械性能

光刻工艺是半导体制造过程中的关键步骤之一，其主要目的是在晶圆上形成微小的电路图案。通过光刻工艺，可以将设计好的电路图案转移到晶圆上，为后续的刻蚀、沉积等工艺步骤提供基础。光刻工艺不涉及去除杂质、提高导电性或改变机械性能。