影响电子电导率的因素包括_A. 晶体结构紧密性B. 杂质缺陷C. 温度D. 组分缺陷

电子电导率反映材料中电子形成电流的能力，其大小受材料内部结构和外部条件的共同影响。本题需判断哪些因素会影响电子电导率，需结合晶体结构、缺陷类型、温度等角度分析：

1. 晶体结构紧密性：结构紧密程度影响电子迁移路径和散射频率；
2. 杂质缺陷：杂质原子改变载流子浓度和类型；
3. 温度：温度变化影响电子热激发和晶格振动；
4. 组分缺陷：成分不均或缺陷密度改变材料能带结构。

选项分析

A. 晶体结构紧密性

晶体结构紧密性决定电子在晶格中的迁移阻力。例如，紧密结构可能增强晶格振动，导致电子散射增多，降低电导率；而松散结构可能减少散射，提高电导率。因此，晶体结构是关键因素。

B. 杂质缺陷

杂质原子的掺入会改变材料的导电载流子数量。例如，在半导体中，掺杂磷（杂质）可增加自由电子浓度，显著提升电导率。因此，杂质缺陷直接影响电导率。

C. 温度

温度升高会增加电子热激发概率。在金属中，温度升高使晶格振动增强，散射加剧，电导率下降；在半导体中，温度升高使更多电子跃迁到导带，电导率上升。因此，温度是重要影响因素。

D. 组分缺陷

组分缺陷（如空位、位错）会改变材料的能带结构，增加电子迁移的散射中心。例如，缺陷密度高时，电子易被陷阱捕获，导致电导率降低。因此，组分缺陷对电导率有直接影响。