在沉淀形成过程中,若杂质离子的半径与构晶离子的半径相近、所形成的晶型相同,则极易生成混晶。A. 错误B. 正确

考查要点：本题主要考查学生对混晶形成条件的理解，涉及晶体化学中的离子替代原理。

解题核心思路：
混晶形成的条件包括离子半径相近、晶型（晶体结构）相同以及电荷相同。题目中明确提到前两个条件，而电荷相同通常隐含在“杂质离子”与“构晶离子”的类型中（如同为阴离子或阳离子）。因此，题目描述符合混晶形成的典型条件。

破题关键点：

1. 明确混晶形成的三个核心条件：半径、晶型、电荷。
2. 题目未直接提及电荷，但杂质离子与构晶离子的电荷相同是隐含前提。
3. 结合题目条件判断结论的正确性。

混晶形成的条件：

1. 离子半径相近：杂质离子与构晶离子的尺寸接近，便于相互替代进入晶格。
2. 晶型相同：晶体结构（如NaCl型、CsCl型等）一致，保证空间排列匹配。
3. 电荷相同：杂质离子与构晶离子的电荷相等，避免破坏晶体电中性。

题目分析：
题目中明确指出“杂质离子的半径与构晶离子的半径相近”和“晶型相同”，这两个条件满足混晶形成的必要条件。虽然未直接提及电荷，但杂质离子与构晶离子通常属于同类型的离子（如同为阴离子或阳离子），电荷相同是隐含条件。因此，题目描述正确。