晶体通过位错运动产生滑移时,移动只在位错中心附近的少数原子之间发生,且其移动距离远小于一个原子间距,因此所需临界切应力最小,这种现象称为()A. 位错的易动性;B. 位错启动;C. 位错缠结;D. 位错中心运动

步骤 1：理解位错运动
位错是晶体中的一种线缺陷，它在晶体中移动时，可以导致晶体的塑性变形。位错的运动通常伴随着原子的重新排列，从而产生滑移。

步骤 2：位错的易动性
位错的易动性是指位错在晶体中移动时，所需克服的阻力较小，即所需的临界切应力较小。这种现象通常发生在位错中心附近的少数原子之间，因为这些原子的移动距离远小于一个原子间距，因此所需的能量较小。

步骤 3：位错启动
位错启动是指位错开始在晶体中移动的过程。位错启动需要克服一定的临界切应力，但一旦启动，位错的移动就会变得相对容易。

步骤 4：位错缠结
位错缠结是指多个位错在晶体中相互缠绕，形成复杂的位错网络。这种现象通常发生在晶体的塑性变形过程中，位错的缠结会增加晶体的强度。

步骤 5：位错中心运动
位错中心运动是指位错中心在晶体中移动的过程。位错中心的移动通常伴随着位错线的弯曲和扭曲，从而导致晶体的塑性变形。