题目
有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM芯片构成。问:(1) 总共需要多少DRAM芯片…(2) 设计此存储体组成框图。(3) 采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少
有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM芯片构成。问:
(1) 总共需要多少DRAM芯片
…
(2) 设计此存储体组成框图。
(3) 采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少
题目解答
答案
解:
(1) 需要
片,每4片为一组,共需8组
(2) 设计此存储体组成框图如下所示。
(3) 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为AA,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过8ms,即要在8ms内进行512次刷新操作。采用异步刷新方式时需要每隔进行一次,可取刷新信号周期为s。
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解析
步骤 1：计算所需DRAM芯片数量
存储器的总容量为1024K×32位，每个DRAM芯片的容量为128K×8位。因此，需要计算出总共需要多少个DRAM芯片来构成这个存储器。
步骤 2：计算每组DRAM芯片数量
由于每个DRAM芯片的位宽为8位，而存储器的位宽为32位，因此需要4个DRAM芯片来构成一个32位的存储单元。所以，每组DRAM芯片的数量为4。
步骤 3：计算DRAM芯片组数
根据步骤1和步骤2，可以计算出总共需要多少组DRAM芯片。每组DRAM芯片的数量为4，因此总共需要的DRAM芯片数量为1024K×32位 / (128K×8位) = 32片，每4片为一组，共需8组。
步骤 4：设计存储体组成框图
设计存储体组成框图，包括地址线、数据线、控制线等，以及DRAM芯片的连接方式。
步骤 5：计算刷新信号周期
采用异步刷新方式，要求单元刷新间隔不超过8ms。根据DRAM芯片的存储阵列结构，计算刷新信号周期。
存储器的总容量为1024K×32位，每个DRAM芯片的容量为128K×8位。因此，需要计算出总共需要多少个DRAM芯片来构成这个存储器。
步骤 2：计算每组DRAM芯片数量
由于每个DRAM芯片的位宽为8位，而存储器的位宽为32位，因此需要4个DRAM芯片来构成一个32位的存储单元。所以，每组DRAM芯片的数量为4。
步骤 3：计算DRAM芯片组数
根据步骤1和步骤2，可以计算出总共需要多少组DRAM芯片。每组DRAM芯片的数量为4，因此总共需要的DRAM芯片数量为1024K×32位 / (128K×8位) = 32片，每4片为一组，共需8组。
步骤 4：设计存储体组成框图
设计存储体组成框图，包括地址线、数据线、控制线等，以及DRAM芯片的连接方式。
步骤 5：计算刷新信号周期
采用异步刷新方式，要求单元刷新间隔不超过8ms。根据DRAM芯片的存储阵列结构，计算刷新信号周期。