离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形靶内的纵向分布可用高斯函数表示D. 能量一定的情况下,轻离子比重离子射程深

本题考查离子注入相关知识，涉及位移阈能、退火目的、无定形靶的纵向分布及离子射程的影响因素。关键点在于：

1. 位移阈能是靶材料的属性，而非入射离子的属性；
2. 退火的作用包括消除晶格损伤和电激活杂质；
3. 无定形靶的纵向分布符合高斯分布；
4. 轻离子射程比重大离子深。

选项A

错误。位移阈能是靶材料原子被击出所需的最小能量，而非入射离子的属性。若入射离子能量超过靶材料的位移阈能，才会引发级联碰撞。选项中将位移阈能错误归为入射离子的属性，表述不准确。

选项B

正确。退火通过消除离子注入产生的晶格缺陷（如空位、间隙原子），恢复晶体结构，并促进杂质原子迁移到正确位置，实现电激活（如半导体中杂质的导电性激活）。

选项C

正确。无定形靶缺乏长程有序结构，离子注入时能量损失均匀，纵向分布呈现统计规律性，可用高斯函数描述。

选项D

正确。轻离子（如B）质量小，在相同能量下速度更快，与原子碰撞次数少，射程更深；而重离子（如Si）因质量大，速度较慢，射程更短。