元素周期表中第三、四周期的某些元素在生产、生活中有着广泛的应用。R . Ga-|||-o bN b-|||-b-|||-ò 图2-|||-图1 .-|||-a-|||-a Ga ON(rm (1))钒(rm (V))及其化合物广泛应用于工业催化、新材料和新能源等领域。①钒的价电子排布图是______；②(rm V _{2) O _(5)}是一种常见的催化剂，常用在(rm SO _{2)}转化为(rm SO _{3)}的反应中。(rm V _{2) O _(5)}的结构式如图(rm 1)所示，则(rm V _{2) O _(5)}分子中(rm σ)键和(rm π)键数目之比为______；若将(rm V _{2) O _(5)}溶解在(rm NaOH)溶液中，可得到锐酸钠(rm (Na _{3) VO _(4) )}，该盐中阴离子的立体构型为______，写出与(rm VO _{4) ^3-}空间构型相同的一种阳离子______(rm ()填化学式(rm ))。(rm (2))氯化铝在有机化学中有很广泛的应用。无水氯化铝在(rm 177.8℃)时升华，蒸气或熔融状态以(rm Al _{2) Cl _(6)}形式存在。下列关于氯化铝的推断错误的是______。(rm a.)氯化铝是分子晶体B.(rm Al _{2) Cl _(6)}中(rm Al)是(rm sp ^2)杂化(rm c.)氯化铝难溶于有机溶剂D.(rm Al _{2) Cl _(6)}中存在配位键(rm (3)P)及其化合物是重要的工业原料。已知：第一电子亲和能(rm (E _{1) )}是指元素的气态基态原子得到一个电子形成气态负一价离子时所放出的能量(rm ()单位为(rm kJboldsymbol{⋅)mol ^-1 )}，电子亲和能越大，该元素原子越易得电子。已知第三周期部分元素第一电子亲和能如表： 元素 (rm Al) (rm Si) (rm P) (rm S) (rm Cl) (rm E _{1) (kJboldsymbol(⋅)mol ^-1 )} (rm 42.5) (rm 134) (rm 72.0) (rm 200) (rm 349) 表中元素的(rm E _{1)}自左而右呈增大趋势，试分析(rm P)元素呈现异常的原因______。(rm (4)GaN)是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似。(rm GaN)晶胞结构如图(rm 2)所示。已知六棱柱底边边长为(rm acm)，高为(rm bcm)，阿伏加德罗常数的值为(rm N _{A) .}则晶胞中(rm Ga)原子采用的密堆积方式为______，每个(rm Ga)原子周围距离最近的(rm Ga)原子数目为______；(rm GaN)的密度为______(rm g/cm ^-3 ()用含(rm a)、(rm b)、(rm N _{A)}的代数式表示(rm ))。

元素周期表中第三、四周期的某些元素在生产、生活中有着广泛的应用。

${\rm (1)}$钒${\rm (V)}$及其化合物广泛应用于工业催化、新材料和新能源等领域。
①钒的价电子排布图是______；
②${\rm V _{2} O _{5}}$是一种常见的催化剂，常用在${\rm SO _{2}}$转化为${\rm SO _{3}}$的反应中。${\rm V _{2} O _{5}}$的结构式如图${\rm 1}$所示，则${\rm V _{2} O _{5}}$分子中${\rm σ}$键和${\rm π}$键数目之比为______；若将${\rm V _{2} O _{5}}$溶解在${\rm NaOH}$溶液中，可得到锐酸钠${\rm (Na _{3} VO _{4} )}$，该盐中阴离子的立体构型为______，写出与${\rm VO _{4} ^{3-}}$空间构型相同的一种阳离子______${\rm (}$填化学式${\rm )}$。
${\rm (2)}$氯化铝在有机化学中有很广泛的应用。无水氯化铝在${\rm 177.8℃}$时升华，蒸气或熔融状态以${\rm Al _{2} Cl _{6}}$形式存在。下列关于氯化铝的推断错误的是______。
${\rm a.}$氯化铝是分子晶体
B.${\rm Al _{2} Cl _{6}}$中${\rm Al}$是${\rm sp ^{2}}$杂化
${\rm c.}$氯化铝难溶于有机溶剂
D.${\rm Al _{2} Cl _{6}}$中存在配位键
${\rm (3)P}$及其化合物是重要的工业原料。已知：第一电子亲和能${\rm (E _{1} )}$是指元素的气态基态原子得到一个电子形成气态负一价离子时所放出的能量${\rm (}$单位为${\rm kJ\boldsymbol{⋅}mol ^{-1} )}$，电子亲和能越大，该元素原子越易得电子。已知第三周期部分元素第一电子亲和能如表：

元素	${\rm Al}$	${\rm Si}$	${\rm P}$	${\rm S}$	${\rm Cl}$
${\rm E _{1} (kJ\boldsymbol{⋅}mol ^{-1} )}$	${\rm 42.5}$	${\rm 134}$	${\rm 72.0}$	${\rm 200}$	${\rm 349}$

表中元素的${\rm E _{1}}$自左而右呈增大趋势，试分析${\rm P}$元素呈现异常的原因______。
${\rm (4)GaN}$是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似。${\rm GaN}$晶胞结构如图${\rm 2}$所示。已知六棱柱底边边长为${\rm acm}$，高为${\rm bcm}$，阿伏加德罗常数的值为${\rm N _{A} .}$则晶胞中${\rm Ga}$原子采用的密堆积方式为______，每个${\rm Ga}$原子周围距离最近的${\rm Ga}$原子数目为______；${\rm GaN}$的密度为______${\rm g/cm ^{-3} (}$用含${\rm a}$、${\rm b}$、${\rm N _{A}}$的代数式表示${\rm )}$。