PN结中P区存在_离子区,N区存在_离子区。A. 正;负;B. 正;正;C. 负;正;D. 负;负;

本题考查PN结的基本结构与电荷分布。关键在于理解P型半导体和N型半导体的掺杂特性：

• P型半导体掺入三价元素（如硼），形成空穴多数载流子，晶格结构中留下正离子。
• N型半导体掺入五价元素（如磷），形成自由电子多数载流子，晶格结构中留下负离子。

在PN结中，P区和N区的离子区电荷性质由掺杂类型直接决定，与扩散过程无关。

P区的离子区

P型半导体中，三价元素原子缺少一个电子，与晶格结合后形成正离子，因此P区存在正离子区。

N区的离子区

N型半导体中，五价元素原子多出一个电子，与晶格结合后形成负离子，因此N区存在负离子区。

综上，答案为A. 正；负。