在制备完好的单晶衬底上,沿其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。A. 外延B. 热氧化C. PVDD. CVD

本题考查薄膜制备方法的核心概念，需明确不同工艺技术的特点。关键点在于理解外延生长与其他方法（如热氧化、PVD、CVD）的本质区别：

• 外延法：在单晶衬底上沿原晶向生长晶格匹配的单晶层，严格保持导电类型和电阻率。
• 其他方法（如CVD、PVD）：可能形成多晶或非晶结构，无法保证晶格匹配和单晶特性。

选项分析

A. 外延

• 特点：在外延过程中，新生成的单晶层与衬底晶格严格匹配，沿原晶向生长，导电类型、电阻率均可精确控制。
• 适用性：符合题目中“新单晶层”“沿原晶向”“晶格结构符合要求”的所有条件。

B. 热氧化

• 特点：通过加热使衬底材料氧化生成氧化膜（如Si→SiO₂）。
• 局限性：生成的是氧化物，无法保持原衬底的导电类型和单晶结构。

C. PVD

• 特点：通过物理方法（蒸发、溅射）沉积薄膜，通常为多晶或非晶结构。
• 局限性：无法保证单晶层的晶格匹配和严格导电特性。

D. CVD

• 特点：通过化学反应沉积晶体，但晶格匹配度和单晶质量依赖工艺条件。
• 局限性：难以像外延法那样严格保证晶格匹配和单晶特性。