把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。A. 正确B. 错误

考查要点：本题主要考查对离子注入工艺中通道效应及其抑制方法的理解。

关键概念：

• 离子注入：通过高速离子撞击半导体表面，实现掺杂改性。
• 通道效应：离子在晶格中沿特定晶向（如<110>方向）迁移，导致掺杂不均匀的现象。

破题关键：
通道效应的抑制与离子入射方向和晶格结构的关系有关。垂直入射时，离子易沿晶格易迁移方向移动，加剧通道效应；而倾斜入射可打破这种对称性，减少沿晶向迁移的可能性。但题目中提到的“倾斜30°”是否有效需结合工艺实际判断。实际工艺中，抑制通道效应更常用的方法是调整注入能量、剂量或工艺参数，而非单纯依赖倾斜角度。

通道效应的本质是离子在晶格损伤区域沿特定方向迁移。若离子束垂直入射，迁移路径更易对齐晶格易迁移方向，导致通道效应显著。而倾斜入射会改变离子的运动方向，降低沿晶格方向迁移的概率，从而在一定程度上抑制通道效应。

题目辨析：
题目认为“倾斜30°可抑制通道效应”，但实际工艺中，单纯通过倾斜角度的调整并非主要手段。更有效的方法包括：

1. 提高注入剂量：增加晶格损伤，阻碍迁移。
2. 使用高能离子：延长离子在晶格中的路径，减少迁移机会。
3. 多步骤注入：分阶段注入以优化掺杂分布。

因此，题目中的说法不准确，正确答案为B（错误）。